Деградация электронного возбуждения состояния 4F3/2 ионов Nd3+ в монокристалле γ-La2S3

Исследованы процессы заселения и релаксации верхнего лазерного уровня неодима ⁴F_3/2 в монокристалле полупроводника γ-La₂S₃ и найдены микропараметры переноса энергии. Обнаружен эффект безызлучательного переноса энергии от непрерывного набора ловушек на верхний лазерный уровень неодима ⁴F_3/2 при возбуждении образца излучением с λ = 0,53 мкм и кросс-релаксация из возбужденных состояний, расположенных выше верхнего лазерного уровня ⁴F_3/2.