|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 3, страницы 469–470
(Mi qe4143)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Письма в редакцию
Качество кристаллов ADP, полученных быстрым выращиванием на точечной затравке
А. А. Амандосов, З. С. Пашина, Л. Н. Рашкович Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Сообщается о получении из затравки размером ~5×5×5 мм кристаллов ADP размером ~10×10×10 см при кристаллизации из раствора со скоростью, в 10–20 раз большей обычной. Аномальная двуосность в кристаллах не превышала ~20', что соответствует качеству хороших кристаллов, полученных медленным выращиванием. Выращивание со скоростью ~1 см/сутки делает реальным получение нелинейных кристаллов большого сечения для целей лазерного термоядерного синтеза.
Поступила в редакцию: 01.10.1982
Образец цитирования:
А. А. Амандосов, З. С. Пашина, Л. Н. Рашкович, “Качество кристаллов ADP, полученных быстрым выращиванием на точечной затравке”, Квантовая электроника, 10:3 (1983), 469–470 [Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 271–272]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4143 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i3/p469
|
|