Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 11, страницы 2414–2420 (Mi qe4130)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Определение сечения вынужденного излучения неодимовых стекол методом измерения поглощения с термически заселенных уровней 4I11/2

Л. Е. Агеева, Н. Б. Брачковская, С. Г. Лунтер, А. К. Пржевуский, М. Н. Толстой
Аннотация: Для неодимовых стекол ГЛС-3 (силикатного) и ГЛС-24 (фосфатного) в интервале 300–720 K измерена температурная зависимость интенсивности полосы поглощения, соответствующей переходу 4I11/24F3/2. Полученные данные позволили определить сечения вынужденного излучения σ0 = 1,7·10–20 (ГЛС-2,3) и 3,3·10–20 см2 (ГЛС-21–24). Проведенное исследование, а также сравнение с результатами измерений сечения σ0 другими спектроскопическими методами говорит о том, что интегральная интенсивность перехода 4F3/24I11/2 практически инвариантна по отношению к существенному изменению населенностей уровней, определяющих тонкую структуру. Двумя независимыми методами было определено, что поглощение ионов Nd3+ на длине волны 1,06 мкм при T = 300 K составляет 3·10–4 (ГЛС-3) и 6·10–4 см–1 (ГЛС-24).
Поступила в редакцию: 19.01.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, Volume 7, Issue 11, Pages 1379–1382
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1977v007n11ABEH004130
Тип публикации: Статья
УДК: 535.37
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: Л. Е. Агеева, Н. Б. Брачковская, С. Г. Лунтер, А. К. Пржевуский, М. Н. Толстой, “Определение сечения вынужденного излучения неодимовых стекол методом измерения поглощения с термически заселенных уровней 4I11/2”, Квантовая электроника, 4:11 (1977), 2414–2420 [Sov J Quantum Electron, 7:11 (1977), 1379–1382]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4130
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v4/i11/p2414
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:184
    PDF полного текста:226
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024