Исследование профиля показателя преломления в многослойных лазерных гетероструктурах на основе Ga1–xAlxAs

Методом пространственной модуляции отражения света от скола исследуемого образца определен профиль показателя преломления в трех- и четырехслойных лазерных гетероструктурах на основе Ga_1–xAl_xAs (подложка GaAs), рассчитаны зависимости концентрации Аl в твердом растворе Ga_1–xAl_xAs и ширины запрещенной зоны от координаты, перпендикулярной плоскости роста. Получены пространственное разрешение ~0,4 мкм, порог чувствительности в определении градиента n ~10^–4 мкм^–1, абсолютная ошибка измерения толщин слоев ~0,05 мкм (при толщине слоя более 0,4 мкм).