Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 10, страницы 1176–1178 (Mi qe4081)  

Лазеры

Естественные флуктуации интенсивности в одно- и двухмодовом СО2-лазерах

М. Л. Анищенко, В. М. Ермаченко, А. М. Головченко, В. Ю. Курочкин, Н. В. Наумов, В. Н. Петровский, Е. Д. Проценко

Московский инженерно-физический институт
Аннотация: Исследованы естественные флуктуации интенсивности (ЕФИ) в одно- и двухмодовом СО2-лазерах. Определены форма и уровень ЕФИ в них. Показано, что основной механизм образования ЕФИ связан с источниками флуктуаций поля.
Поступила в редакцию: 18.01.1991
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, Volume 21, Issue 10, Pages 1065–1067
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1991v021n10ABEH004081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: М. Л. Анищенко, В. М. Ермаченко, А. М. Головченко, В. Ю. Курочкин, Н. В. Наумов, В. Н. Петровский, Е. Д. Проценко, “Естественные флуктуации интенсивности в одно- и двухмодовом СО2-лазерах”, Квантовая электроника, 18:10 (1991), 1176–1178 [Sov J Quantum Electron, 21:10 (1991), 1065–1067]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe4081
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v18/i10/p1176
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024