Влияние многократного самопоглощения спонтанного излучения на пороговый уровень накачки в гетеролазерах

Проведен анализ степени снижения порогового уровня накачки полупроводниковых гетеролазеров при нанесении зеркально или диффузно высокоотражающих свет покрытий (металлических контактов) непосредственно на сравнительно тонкие эмиттеры. Исследована зависимость этого эффекта от потерь в пассивных слоях, толщины активного слоя и концентрации легирующих примесей в нем. Показано, что ожидаемые уровни пороговой накачки у лазеров рассматриваемого типа могут быть в несколько раз ниже, чем у обычных гетеролазеров.