Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 6, страницы 555–558 (Mi qe405)  

Активные среды

Интенсивность насыщения и спектр выходного излучения XeCl-лазера

В. Б. Кауль, С. Э. Кунц, С. В. Мельченко

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Аннотация: Показано, что на работу XeCl-лазера существенное влияние оказывает динамика нижнего Х-состояния рабочих молекул. В связи с этим интенсивность насыщения лазерного перехода может быть разной в различных экспериментальных условиях. Спектр выходного излучения при работе с неселективным резонатором также может значительно трансформироваться; при этом увеличивается относительная интенсивность излучения на "слабых" переходах молекул XeCl.
Поступила в редакцию: 14.10.1994
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, Volume 25, Issue 6, Pages 529–532
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1995v025n06ABEH000405
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Gp, 42.60.Lh


Образец цитирования: В. Б. Кауль, С. Э. Кунц, С. В. Мельченко, “Интенсивность насыщения и спектр выходного излучения XeCl-лазера”, Квантовая электроника, 22:6 (1995), 555–558 [Quantum Electron., 25:6 (1995), 529–532]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe405
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i6/p555
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:241
    PDF полного текста:336
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024