Фотоиндуцированное короткоживущее поглощение в кристаллах ГСГГ:Сг3+, Nd3+ и ГСАГ:Сг3+, Nd3+

Исследовано влияние коротковолнового излучения накачки на спектрально-люминесцентные характеристики кристаллов ГСГГ:Сг³⁺, Nd³⁺ и ГСАГ:Сг³⁺, Nd³⁺. Реализована чувствительная схема измерения наведенного поглощения, основанная на многопроходном зондировании кристалла лазерным излучением. Измерены зависимости наведенного поглощения от энергии возбуждения, времена жизни фотоиндуцированных центров окраски, исследовано влияние наведенного поглощения на эффективность накачки активного элемента лазера. Установлено, что интенсивность фотоиндуцированного поглощения в кристалле ГСАГ: Сг³⁺, Nd³⁺ существенно меньше, чем в кристалле ГСГГ: Сг³⁺, Nd³⁺. Показано, что наведенное поглощение приводит к снижению эффективности заселения верхнего лазерного уровня ⁴F_3/2 иона Nd³⁺.