Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 7, страницы 844–845 (Mi qe3943)  
Активные среды

Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy

Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов

Институт физики АН АзССР, Баку
PDF полного текста (453 kB)
Аннотация: Обнаружено усиление интенсивности излучения свободных экситонов, обусловленное «залечиванием» структурных дефектов за счет обменного взаимодействия ионов гольмия в кристаллах InSe, активированных соединением гольмия.
Поступила в редакцию: 14.09.1990
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1991, Volume 21, Issue 7, Pages 763–764
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1991v021n07ABEH003943
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 71.35.-y, 71.70.Gm, 78.55.Hx, 78.20.Ci


Образец цитирования: Н. А. Рагимова, С. З. Джафарова, Г. И. Абуталыбов, “Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 844–845 [Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 763–764]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3943
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v18/i7/p844
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024