Численное моделирование спектра генерации XeF (B–X)-лазера с накачкой электронным пучком

Предложена модель XeF (B–X)-лазера, накачиваемого электронным пучком, которая позволяет получать качественно согласующиеся с экспериментом временные зависимости мощности генерации в различных спектральных интервалах, а также интегральные спектры генерации, демонстрирующие качественные зависимости от температуры рабочей среды и мощности накачки, наблюдаемые на опыте. Показано, что при расчете спектра генерации XeF (B–X)-лазера необходимо учитывать вращательную релаксацию молекулы XeF; предлагается метод учета вращательной неравновесности. Увеличение КПД лазера с ростом температуры объясняется перераспределением населенностей колебательного состояния X и усилением генерации на спектрально перекрытых электронно-колебательных переходах 1–4 и 0–2.