|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 5, страницы 479–484
(Mi qe387)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды
Импульсный фотолиз иодидов в присутствии тушащих газов. 3. Фотолиз C3F7OI
Т. Л. Андреева, О. В. Дзябенко, С. В. Кузнецова, А. И. Маслов Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация:
Методом тушащего буфера измерены константы скоростей основных реакций импульсного фотолиза иодида С3F7OI (RI) и его смесей с буферными газами М (CF3H, H2O): R+R → R2; R+I → RI; I*+RI, M, I2 → I+RI, M, I2; I + I + RI, M → I2 + RI, M. Определены коэффициенты ударного уширения линии рабочего перехода фотодиссоционного лазера молекулами С3F7OI, CF3H, H2O и вероятности образования возбужденных атомов иода при фотодиссоциации иодидов С2F5I и C3F7OI широкополосным УФ излучением. Как и для ранее изученных иодидов, подтверждена малая эффективность рекомбинации радикалов C2F5 и C3F7O с возбужденными атомами иода.
Поступила в редакцию: 04.08.1994
Образец цитирования:
Т. Л. Андреева, О. В. Дзябенко, С. В. Кузнецова, А. И. Маслов, “Импульсный фотолиз иодидов в присутствии тушащих газов. 3. Фотолиз C3F7OI”, Квантовая электроника, 22:5 (1995), 479–484 [Quantum Electron., 25:5 (1995), 454–460]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe387 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i5/p479
|
|