Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 5, страницы 464–466 (Mi qe382)  

Управление параметрами лазерного излучения

Оптимизация параметров накачки и генерации СО2-ЭИЛ при уменьшении давления рабочей смеси

А. И. Сидоров, В. Н. Чирков, И. Л. Ячнев

Институт лазерной физики Государственного оптического института им. С. И. Вавилова, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Экспериментально установлена возможность улучшения пространственно-энергетических характеристик излучения CO2-ЭИЛ с длительностью импульса несколько десятков микросекунд при уменьшении давления рабочей смеси от 1 до 0.5 атм.
Поступила в редакцию: 26.07.1994
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, Volume 25, Issue 5, Pages 439–441
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1995v025n05ABEH000382
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. И. Сидоров, В. Н. Чирков, И. Л. Ячнев, “Оптимизация параметров накачки и генерации СО2-ЭИЛ при уменьшении давления рабочей смеси”, Квантовая электроника, 22:5 (1995), 464–466 [Quantum Electron., 25:5 (1995), 439–441]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe382
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i5/p464
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:58
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024