Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением

Исследована динамика излучения зарощенных мезаполосковых инжекционных лазеров на основе двойных гетероструктур в системе (InGa) AsP/InP со сверхтонкими активными слоями (d_α = 12–25 нм) и раздельным ограничением (λ = 1,3 мкм). В зависимости от ширины активной полоски W пороговая плотность тока составляла (0,5–3,0)·10³ А/см². Максимальная непрерывная выходная мощность достигала 1,0 Вт (W = 100 мкм). Обнаружен большой разброс значений параметров, характеризующих прямую амплитудную модуляцию (АЧХ, переходные характеристики, амплитудные шумы, нелинейные искажения). Показано, что наиболее эффективно аналоговая амплитудная модуляция в полосе частот более 1 ГГц реализуется у лазеров с узким активным каналом (W ≈ 4 мкм), работающих в пространственно-одномодовом режиме. Исследованы зависимости относительных шумов интенсивности, нелинейных и интермодуляционных искажений от тока накачки лазера, частоты и глубины модуляции.