|
Квантовая электроника, 1991, том 18, номер 2, страницы 223–225
(Mi qe3752)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2–
Т. Т. Басиевab, А. Н. Кравецab, С. Б. Мировab, А. В. Фединab, В. А. Конюшкинab a Ковровский филиал Владимирского политехнического института
b Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
Впервые получена устойчивая импульсно-периодическая генерация с пиковой мощностью до 64 кВт и
средней мощностью до 65 Вт в многомодовом и 21 кВт, 20 Вт – в одномодовом режиме. Изменением уровня
накачки достигнуто изменение длительности импульсов в пределах 100–300 нс и частоты их следования
в пределах 1–10 кГц при начальном пропускании кристалла LiF:F2– 68 % на длине волны 1064 нм.
Поступила в редакцию: 18.07.1990 Исправленный вариант: 01.11.1990
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин, В. А. Конюшкин, “Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2–”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 223–225 [Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 197–199]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3752 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v18/i2/p223
|
|