Аннотация:
Приведены результаты ресурсных исследований InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,3 мкм) в течение 3·104 ч при Т = 65 °С. Получены выражения, описывающие увеличение порогового тока от времени испытаний. Показано, что относительное изменение порогового тока можно использовать для отбраковки гетеролазеров и для выбора образцов с продолжительной наработкой.
Образец цитирования:
Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, “Увеличение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров в процессе старения при повышенной температуре”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 175–176 [Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 155–156]