Формирование излучения при однопроходной генерации с учетом отражения квантов боковой поверхностью активной среды

Рассмотрено влияние отражения квантов боковой поверхностью активной среды на формирование излучения при однопроходной генерации на инверсно-населенном переходе. В рамках геометрической оптики получено численное решение интегрального уравнения переноса для плотности потока излучения. Рассчитаны угловые распределения выходящих из элемента квантов. Предложена аналитическая модель для описания излучения в системах с отражением.