|
Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 12, страницы 1149–1150
(Mi qe3672)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 230 научных статьях (всего в 230 статьях)
Письма в редакцию
Кристаллы GdVO4:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой
А. И. Загуменныйa, В. Г. Остроумовa, И. А. Щербаковa, Т. Йенсенb, Я. П. Мейенb, Г. Хуберb a Институт общей физики РАН, Москва
b Институт лазерной физики Гамбургского университета
Аннотация:
Сообщается о получении методом Чохральского монокристаллов гадолиниевого ванадата, легированного
ионами неодима. Измерены спектры поглощения и люминесценции неодима. Поглощение в области
0,8 мкм – более 70 см–1, время жизни ионов неодима 90 мкс. Получена генерация на переходах 4F3/2 → 4I13/2, 4I11/2 причем дифференциальный КПД генерации в области 1,06 мкс составил 54 %.
Поступила в редакцию: 18.08.1992
Образец цитирования:
А. И. Загуменный, В. Г. Остроумов, И. А. Щербаков, Т. Йенсен, Я. П. Мейен, Г. Хубер, “Кристаллы GdVO4:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 19:12 (1992), 1149–1150 [Sov J Quantum Electron, 22:12 (1992), 1071–1072]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3672 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i12/p1149
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 445 | PDF полного текста: | 115 |
|