Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 11, страницы 1062–1063 (Mi qe3648)  
Управление параметрами лазерного излучения

Ширина линии излучения С3-лазера

Ю. А. Быковский, К. Б. Дедушенко, И. Г. Лихачев

Московский инженерно-физический институт
PDF полного текста (502 kB)
Аннотация: Исследована ширина линии излучения инспекционного С3-лазера на основе AlGaAs/GaAs. Ширина линии сильно меняется в зависимости от токов инжекции лазерной и модулирующей секций и величины разделяющего их зазора. При оптимальной настройке она меньше, чем у соответствующего лазера с плоским резонатором.
Поступила в редакцию: 13.03.1992
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 11, Pages 986–987
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n11ABEH003648
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Da, 42.60.Fc


Образец цитирования: Ю. А. Быковский, К. Б. Дедушенко, И. Г. Лихачев, “Ширина линии излучения С3-лазера”, Квантовая электроника, 19:11 (1992), 1062–1063 [Sov J Quantum Electron, 22:11 (1992), 986–987]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3648
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i11/p1062
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:113
    PDF полного текста:83
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024