Исследование XeF-лазера с оптической накачкой излучением поверхностных разрядов

Изучены пространственные, временные и спектральные характеристики XeF-лазера видимого (0,48 мкм) и УФ (0,35 мкм) диапазонов спектра. Экспериментально определены зависимости энергии генерации от давления паров исходного XeF₂ для различных конфигураций источника оптической накачки и добротностей резонаторов. Достигнута энергия генерации 117 Дж на C–A- и 174 Дж на B–X-переходах молекулы XeF с внутренними КПД 2,6 и 3,6 % соответственно. Изучена направленность излучения XeF(C–A)-лазера при образовании волн фотолиза различных форм в активных средах. Осуществлена перестройка длины волны генерации в видимом диапазоне спектра. Исследованы излучательные характеристики открытых сильноточных секционированных поверхностных разрядов при различных скоростях ввода энергии в плазму в рабочих средах ХеF-лазеров.