Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 7, страницы 677–681 (Mi qe3558)  

Управление параметрами лазерного излучения

Угловая расходимость излучения импульсного СО-ЭИЛ

Р. А. Лиуконен, А. М. Трофименко

Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербург
Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования различных факторов, влияющих на диаграмму направленности излучения СО-ЭИЛ в зависимости от типа резонатора. Показана возможность достижения дифракционной расходимости с резонатором, обращающим волновой фронт.
Поступила в редакцию: 28.01.1992
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 7, Pages 627–631
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n07ABEH003558
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Da, 42.65.Hw, 42.60.Jf, 42.70.Hj


Образец цитирования: Р. А. Лиуконен, А. М. Трофименко, “Угловая расходимость излучения импульсного СО-ЭИЛ”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 677–681 [Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 627–631]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3558
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i7/p677
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:111
    PDF полного текста:90
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024