|
Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 7, страницы 668–670
(Mi qe3555)
|
|
|
|
Управление параметрами лазерного излучения
Воспроизводимость импеданса (InGа)РАs-лазерных диодов с мезаструктурой, зарощенной полуизолирующими слоями
А. А. Блискавицкий, Ю. К. Владимиров, С. Х. Такташов Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Аннотация:
Экспериментально исследована воспроизводимость на СВЧ импеданса (InGа)РАs-гетеролазера с зарощенной полуизолирующими слоями мезаструктурой. Разработана СВЧ плата для калибровки измерителей
s-параметров четырехполюсников при измерении импеданса лазерных диодов и проведены панорамные
измерения активной и реактивной составляющих импеданса десяти лазерных диодов одной структуры,
изготовленных из трех различных пластин. Полученные результаты свидетельствуют о достаточно
хорошей воспроизводимости импеданса лазерных диодов данного типа в диапазоне 6,05–5,0 ГГц.
Поступила в редакцию: 04.10.1991
Образец цитирования:
А. А. Блискавицкий, Ю. К. Владимиров, С. Х. Такташов, “Воспроизводимость импеданса (InGа)РАs-лазерных диодов с мезаструктурой, зарощенной полуизолирующими слоями”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 668–670 [Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 618–620]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3555 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i7/p668
|
|