Усиление внешнего излучения в полупроводниковом лазере в состоянии генерации

Дан вывод уравнений, описывающих полупроводниковый лазер при инжекции внешнего излучения. Подробно проанализирован случай усиления слабого сигнала. Обнаружено, что в спектре пропускания лазера в состоянии генерации возникают побочные максимумы, отстоящие от собственного резонанса на несколько гигагерц. Представлены результаты экспериментального исследования этого явления. Получено удовлетворительное согласие результатов теории и эксперимента.