Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 7, страницы 646–647 (Mi qe3550)  

Активные среды

Влияние формы кристаллического активного элемента на выходную мощность одномодового лазера

В. А. Гудков, З. Б. Раджабова

Научно-техническая фирма "Физика", Москва
Аннотация: Исследовано влияние формы активного элемента (АЭ) из ИАГ:Nd на мощность основной TEM00-моды излучения. Показано, что если в АЭ сделать неглубокие прорези, расположенные между кристаллографическими осями в местах наибольшего наведенного накачкой двулучепреломления, то удастся увеличить мощность излучения на 40–50 %. Эти прорези улучшают теплоотвод из центральной части АЭ, ответственной за генерацию TEM00-моды, и тем самым снижают тепловую деформацию, искажающую волновой фронт световой волны.
Поступила в редакцию: 24.12.1991
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 7, Pages 596–597
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n07ABEH003550
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.By


Образец цитирования: В. А. Гудков, З. Б. Раджабова, “Влияние формы кристаллического активного элемента на выходную мощность одномодового лазера”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 646–647 [Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 596–597]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3550
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i7/p646
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024