Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 4, страницы 328–332 (Mi qe352)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Лазер высокой мощности на неодимовом фосфатном стекле для экспериментов по взаимодействию сверхсильных световых полей с веществом

И. А. Бегишев, Р. А. Ганеев, Ф. Ш. Ганиханов, В. И. Редкоречев, Т. Б. Усманов

НПО "Академприбор" АН Республики Узбекистан, г. Ташкент
Аннотация: Представлены предварительные результаты по разработке мощного лазерного комплекса на неодимовом фосфатном стекле (λ = 1.053 мкм) для экспериментов по взаимодействию излучения пикосекундной длительности с мишенями. Комплекс состоит из лазерного генератора с отрицательной обратной связью, предварительного усилителя с модуляцией добротности и многокаскадного усилительного тракта. В комплексе используется методика усиления чирпированных импульсов с последующей их компрессией. Представлены результаты экспериментов по взаимодействию интенсивного лазерного излучения (I > 1015 Вт/см2) различной длительности с мишенями в вакуумной камере и исследованию характеристик получающейся при этом лазерной плазмы.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, Volume 25, Issue 4, Pages 310–314
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1995v025n04ABEH000352
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.65.Re, 52.50.Jm


Образец цитирования: И. А. Бегишев, Р. А. Ганеев, Ф. Ш. Ганиханов, В. И. Редкоречев, Т. Б. Усманов, “Лазер высокой мощности на неодимовом фосфатном стекле для экспериментов по взаимодействию сверхсильных световых полей с веществом”, Квантовая электроника, 22:4 (1995), 328–332 [Quantum Electron., 25:4 (1995), 310–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe352
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i4/p328
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:148
    PDF полного текста:131
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024