Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 4, страницы 376–378 (Mi qe3447)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Активные среды

Параметры переноса энергии возбуждения с уровня 4I11/2 иона Еr3+ в кристаллах (Y1-хЕrх)3Al5O12

Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, Н. Н. Платнов, A. М. Прохоров

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Рассмотрена концентрационная зависимость параметра ап-конверсионного переноса энергии ω2. Показано, что при малой плотности возбуждений эта зависимость квадратична.
Поступила в редакцию: 22.10.1991
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 4, Pages 341–343
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n04ABEH003447
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825
PACS: 78.55.Hx, 42.70.Mp


Образец цитирования: Х. С. Багдасаров, В. П. Данилов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, Н. Н. Платнов, A. М. Прохоров, “Параметры переноса энергии возбуждения с уровня 4I11/2 иона Еr3+ в кристаллах (Y1-хЕrх)3Al5O12”, Квантовая электроника, 19:4 (1992), 376–378 [Sov J Quantum Electron, 22:4 (1992), 341–343]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3447
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i4/p376
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:218
    PDF полного текста:112
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024