Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 4, страницы 369–371 (Mi qe3437)  

Активные среды

Влияние запрещенных переходов на структуру полосы усиления молекул ХеСl

В. Т. Платоненко, М. К. Шаяхметова

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Обсуждается влияние запрещенных переходов на структуру и форму полосы усиления BX молекул XeCl. Полоса, рассчитанная с учетом запрещенных переходов, лучше согласуется с экспериментально измеренными длинами волн генерации XeCl-лазера, чем полоса, рассчитанная с учетом только разрешенных переходов.
Поступила в редакцию: 07.06.1991
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 4, Pages 334–336
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n04ABEH003437
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Jf


Образец цитирования: В. Т. Платоненко, М. К. Шаяхметова, “Влияние запрещенных переходов на структуру полосы усиления молекул ХеСl”, Квантовая электроника, 19:4 (1992), 369–371 [Sov J Quantum Electron, 22:4 (1992), 334–336]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3437
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i4/p369
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024