|
Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 8, страницы 749–755
(Mi qe3411)
|
|
|
|
Воздействие лазерного излучения на вещество
Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов
А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация:
Численно исследуется нестационарный двойной резонанс в Λ-схеме при большой спектральной неоднородности среды и ненулевых отстройках частот взаимодействующих импульсов от центральных частот соответствующих квантовых переходов. Показано, что сигнальный импульс эффективно взаимодействует с импульсом накачки только при выполнении определенного условия, накладываемого на упомянутые отстройки. Если на входе в резонансную среду данное условие сильно нарушено, то с полем накачки взаимодействует в основном слабое поле заднего фронта входного сигнального импульса. При этом в сигнальном канале формируются два импульса с различными частотами. Последнее объясняется спецификой взаимодействия излучения с уширенными за счет эффекта Доплера квантовыми переходами.
Поступила в редакцию: 20.12.2004 Исправленный вариант: 05.04.2005
Образец цитирования:
А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, “Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов”, Квантовая электроника, 35:8 (2005), 749–755 [Quantum Electron., 35:8 (2005), 749–755]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3411 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v35/i8/p749
|
|