Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 8, страницы 749–755 (Mi qe3411)  

Воздействие лазерного излучения на вещество

Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов

А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация: Численно исследуется нестационарный двойной резонанс в Λ-схеме при большой спектральной неоднородности среды и ненулевых отстройках частот взаимодействующих импульсов от центральных частот соответствующих квантовых переходов. Показано, что сигнальный импульс эффективно взаимодействует с импульсом накачки только при выполнении определенного условия, накладываемого на упомянутые отстройки. Если на входе в резонансную среду данное условие сильно нарушено, то с полем накачки взаимодействует в основном слабое поле заднего фронта входного сигнального импульса. При этом в сигнальном канале формируются два импульса с различными частотами. Последнее объясняется спецификой взаимодействия излучения с уширенными за счет эффекта Доплера квантовыми переходами.
Поступила в редакцию: 20.12.2004
Исправленный вариант: 05.04.2005
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2005, Volume 35, Issue 8, Pages 749–755
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2005v035n08ABEH003411
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.80.Bx, 42.50.Gy


Образец цитирования: А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, “Численное моделирование квазирезонансного режима нестационарного двойного резонанса в схеме с общим верхним уровнем при большом неоднородном уширении линий квантовых переходов”, Квантовая электроника, 35:8 (2005), 749–755 [Quantum Electron., 35:8 (2005), 749–755]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3411
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v35/i8/p749
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024