|
Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 2, страницы 167–170
(Mi qe3366)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физические процессы в лазерных средах
Сенсибилизация люминесценции ионов Ег3+ с ионами Се3+ в кристалле YAG
А. Л. Денисов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация:
В кристалле YAG:Се3+:Ег3+ зафиксирована безызлучательная передача энергии от Се3+ к Ег3+ с высокой эффективностью. Экспериментально показано, что возбуждение уровня 4S3/2 преобразуется в инверсную населенность между генерирующими штарковскими подуровнями уровней 4I11/2 и 4I13/2 с максимальной эффективностью в кристалле YAG. В кристалле YAG:Се3+:Ег3+ тушение уровня 4I11/2 иона Ег3+ ионами Се3+ незначительно. Вклад ионов Се3+ в населенность рабочих уровней ионов Ег3+ в кристалле YAG:Се3+:Ег3+ составил 15–20 %.
Поступила в редакцию: 12.07.1991
Образец цитирования:
А. Л. Денисов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков, “Сенсибилизация люминесценции ионов Ег3+ с ионами Се3+ в кристалле YAG”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), 167–170 [Sov J Quantum Electron, 22:2 (1992), 150–153]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3366 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i2/p167
|
|