|
Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 2, страницы 162–163
(Mi qe3364)
|
|
|
|
Физические процессы в лазерных средах
Усиление в кристалле LiF:F2– при ВКР в кристалле Ba(NO3)2
В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете, Иркутск
Аннотация:
Показана возможность усиления слабого затравочного стоксова излучения попутного и встречного ВКР в
кристалле нитрата бария с помощью кристалла LiF с F2–-центрами окраски, что позволило достичь высокой эффективности преобразования энергии накачки в энергию стоксова излучения без фокусировки пучка накачки.
Поступила в редакцию: 12.07.1991
Образец цитирования:
В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон, “Усиление в кристалле LiF:F2– при ВКР в кристалле Ba(NO3)2”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), 162–163 [Sov J Quantum Electron, 22:2 (1992), 144–145]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3364 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i2/p162
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 100 | PDF полного текста: | 62 |
|