| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Физические процессы в лазерных средах Усиление в кристалле LiF:F2– при ВКР в кристалле Ba(NO3)2 В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете, Иркутск
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 2, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n02ABEH003364 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон, “Усиление в кристалле LiF:F2– при ВКР в кристалле Ba(NO3)2”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь:math-net2025_03@mi-ras.ru |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|