Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 2, страницы 162–163 (Mi qe3364)  

Физические процессы в лазерных средах

Усиление в кристалле LiF:F2 при ВКР в кристалле Ba(NO3)2

В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете, Иркутск
Аннотация: Показана возможность усиления слабого затравочного стоксова излучения попутного и встречного ВКР в кристалле нитрата бария с помощью кристалла LiF с F2-центрами окраски, что позволило достичь высокой эффективности преобразования энергии накачки в энергию стоксова излучения без фокусировки пучка накачки.
Поступила в редакцию: 12.07.1991
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 2, Pages 144–145
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n02ABEH003364
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825
PACS: 42.65.Dr, 42.70.Nq, 42.50.Gy


Образец цитирования: В. М. Хулугуров, Н. А. Иванов, Д. В. Иншаков, Е. А. Олейников, В. Н. Войцеховский, В. Э. Якобсон, “Усиление в кристалле LiF:F2 при ВКР в кристалле Ba(NO3)2”, Квантовая электроника, 19:2 (1992), 162–163 [Sov J Quantum Electron, 22:2 (1992), 144–145]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3364
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i2/p162
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024