Эффективные перестраиваемые лазеры на кристаллах LiF(F2) с F2- и F2+-ЦO

В результате оптимизации технологии изготовления активных элементов LiF (F₂→F₂⁺)-лазеров, работающих при комнатной температуре, получены высокие параметры широкополосной генерации света F₂- и F₂⁺-ЦО в неселективном резонаторе при накачке излучением второй гармоники импульсно-периодического ИАГ: Nd³⁺-лазера (λ = 0,532 мкм). КПД LiF (F₂→F₂⁺)-лазера по накачке составил 38 %, по поглощенной энергии – 41 %. Ресурс работы одного канала накачки LiF(F₂→F₂⁺)-лазера превысил 5 × 10⁵ импульсов при плотности мощности излучения накачки 150 МВт/см² и диаметре активного канала d = 1,5 мм. Широкополосная генерация на F₂-ЦO в этой же схеме, но без фокусировки излучения накачки, наблюдалась в течение 15 мин при частоте повторения импульсов 12,5 Гц и плотности мощности накачки 40 МВт/см².