Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe

Исследованы ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe и ДГС-лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе селенида свинца в диапазоне температур 20–80 K. Описаны методики подготовки лазерных образцов и измерений в импульсном режиме. Установлено, что при 20 K существенной является туннельная составляющая тока. С повышением температуры возрастает роль тепловых токов и уже при 80 K доминирующей становится диффузионная составляющая. Доля туннельного тока в пороговом при 80 K составляет ~0,25.