|
Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 1, страницы 26–28
(Mi qe3326)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Лазеры
Генерационные характеристики кристаллов Mg2SiO4:Cr при лазерной накачке
А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов Научно-исследовательский институт ядерных проблем при Белорусском государственном университете им. В. И. Ленина, Минск
Аннотация:
Экспериментально исследованы генерационные характеристики кристаллов форстерита Mg2SiO4:Cr в различных режимах генерации. Показано, что при высокоинтенсивной накачке происходит уменьшение КПД вследствие наведенного поглощения в активной среде. Сформулирован критерий для выбора оптимальной интенсивности накачки в различных режимах работы. Впервые получена генерация при накачке ВЧ цугами импульсов квазинепрерывного лазера на YAlO3:Nd. Достигнуты энергии генерации более 2 Дж при накачке излучением лазера на неодимовом стекле в режиме свободной генерации.
Поступила в редакцию: 21.05.1991
Образец цитирования:
А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов, “Генерационные характеристики кристаллов Mg2SiO4:Cr при лазерной накачке”, Квантовая электроника, 19:1 (1992), 26–28 [Sov J Quantum Electron, 22:1 (1992), 19–21]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3326 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i1/p26
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 104 | PDF полного текста: | 61 |
|