А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов, “Генерационные характеристики кристаллов Mg2SiO4:Cr при лазерной накачке”, Квантовая электроника, 19:1 (1992), 26–28 [Sov J Quantum Electron, 22:1 (1992), 19

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1992, том 19, номер 1, страницы 26–28 (Mi qe3326)

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Генерационные характеристики кристаллов Mg₂SiO₄:Cr при лазерной накачке

А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов

Научно-исследовательский институт ядерных проблем при Белорусском государственном университете им. В. И. Ленина, Минск

PDF полного текста (1149 kB) Список цитирования (5)

Аннотация: Экспериментально исследованы генерационные характеристики кристаллов форстерита Mg₂SiO₄:Cr в различных режимах генерации. Показано, что при высокоинтенсивной накачке происходит уменьшение КПД вследствие наведенного поглощения в активной среде. Сформулирован критерий для выбора оптимальной интенсивности накачки в различных режимах работы. Впервые получена генерация при накачке ВЧ цугами импульсов квазинепрерывного лазера на YAlO₃:Nd. Достигнуты энергии генерации более 2 Дж при накачке излучением лазера на неодимовом стекле в режиме свободной генерации.

Поступила в редакцию: 21.05.1991

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1992, Volume 22, Issue 1, Pages 19–21
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1992v022n01ABEH003326

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Pk

Образец цитирования: А. Е. Кимаев, М. Г. Лившиц, Б. И. Минков, Я. И. Мишкель, А. А. Тарасов, “Генерационные характеристики кристаллов Mg₂SiO₄:Cr при лазерной накачке”, Квантовая электроника, 19:1 (1992), 26–28 [Sov J Quantum Electron, 22:1 (1992), 19–21]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe3326

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i1/p26

Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	119
PDF полного текста:	72

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы