Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 5, страницы 129–131 (Mi qe3269)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

О методе выделения слабых линий вынужденного комбинационного рассеяния при помощи селективного поглощения на частоте наиболее сильной стоксовой компоненты

М. Пфайффер, В. Вернке, А. Лау, Х.-И. Вайгман, К. Ленц, П. Гадов
Аннотация: При вынужденном комбинационном рассеянии обычно в спектре проявляется только компонента комбинационного рассеяния с наибольшим коэффициентом усиления. Ее появление обусловливает такое сильное истощение интенсивности возбуждающего лазера, что другие сигналы комбинационного рассеяния не могут вырасти до порога чувствительности приемника. При помощи селективного поглощения для преобладающей стоксовой компоненты можно облегчить появление других частот комбинационного рассеяния. Теоретически показано, что при использовании поглощающей жидкости, для которой достижимо соотношение коэффициентов поглощения на частоте первой стоксовой компоненты и на частоте лазера 100 : 1, порог обнаружения слабых компонент может быть снижен в 7 раз.
Поступила в редакцию: 24.05.1971
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1972, Volume 1, Issue 5, Pages 544–546
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1972v001n05ABEH003269
Тип публикации: Статья
УДК: 535.36:621.378
PACS: 42.65.Dr, 78.30.-j


Образец цитирования: М. Пфайффер, В. Вернке, А. Лау, Х.-И. Вайгман, К. Ленц, П. Гадов, “О методе выделения слабых линий вынужденного комбинационного рассеяния при помощи селективного поглощения на частоте наиболее сильной стоксовой компоненты”, Квантовая электроника, 5 (1971), 129–131 [Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 544–546]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3269
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i5/p129
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025