|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 3, страницы 216–218
(Mi qe325)
|
|
|
|
Письма в редакцию
Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных AlGaAs/GaAs-лазеров спектрального диапазона 780 — 808 нмс электронными сверхрешеточными барьерами
В. В. Безотосныйa, П. В. Каргаa, Чанг Чен Деb, Чанг Кви Линb, Гуан Хин Гуоb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Проанализирована модель AlGaAs/GaAs-лазера с многослойными интерференционными барьерами, используемыми для отражения электронных волн с целью увеличения ограничения носителей. Оптимизирована конструкция лазерной двойной гетероструктуры для спектрального диапазона 780 — 808 нм, имеющей электронные сверхрешеточные барьеры (ЭСБ), с раздельным ограничением электронов и фотонов. Методом эпитаксии из металлоорганических соединений при низком давлении изготовлены двусторонние гетероструктуры с раздельным ограничением на основе AlGaAs/GaAs, содержащие ЭСБ трех типов и обычные лазеры. На основе указанных гетероструктур изготовлены полосковые лазеры с диэлектрической изоляцией, имеющие ширину полоскового контакта 100 и 200 мкм. Для лазеров с ЭСБ получена минимальная плотность порогового тока 0.3 кА/см2 и температурная константа Т0 = 220 К при толщинах активного слоя 40нм и длине резонатора 0.4 — 0.5 мм. Для лазеров той же геометрии, не имеющих ЭСБ, минимальная плотность порогового тока составила 0.42 кА/см2, а Т0 была равна 160 К.
Образец цитирования:
В. В. Безотосный, П. В. Карга, Чанг Чен Де, Чанг Кви Лин, Гуан Хин Гуо, “Моделирование и экспериментальное изучение инжекционных AlGaAs/GaAs-лазеров спектрального диапазона 780 — 808 нмс электронными сверхрешеточными барьерами”, Квантовая электроника, 22:3 (1995), 216–218 [Quantum Electron., 25:3 (1995), 200–202]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe325 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i3/p216
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 73 |
|