Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 11, страницы 1105–1110 (Mi qe3233)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но

А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН РФ, г. Москва
PDF полного текста (223 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: На основании построенной модели активной среды ИСГГ:Cr, Тm, Но (генерация на переходе 5I7→5I8 иона Ho3+), выявлены особенности заселения уровня 3H4 иона Tm3+ и уровня 5I7 иона Ho3+ при стационарной накачке, влияющие на основные генерационные характеристики лазера – дифференциальный КПД и порог генерации. Получено согласие экспериментальных данных с расчетными.
Поступила в редакцию: 20.04.1993
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, Volume 23, Issue 11, Pages 962–966
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1993v023n11ABEH003233
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Модель активной среды на основе кристалла ИСГГ:Cr, Тm, Но”, Квантовая электроника, 20:11 (1993), 1105–1110 [Quantum Electron., 23:11 (1993), 962–966]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3233
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i11/p1105
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:170
    PDF полного текста:71
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024