Параметрическая суперлюминесценция на кристалле ZnGeP2 с температурной перестройкой и накачкой эрбиевым лазером

Исследована температурная перестройка в ИК диапазоне параметрической генерации в режиме бегущей волны (параметрической суперлюминесценции) на кристалле ZnGeP₂. Исследования проводились на ИСГГ:Ег-лазере (λ = 2.79 мкм) с модуляцией добротности и активной синхронизацией мод. Обнаружено, что неперекрываемый при угловой перестройке интервал длин волн вблизи точки вырождения удается частично перекрыть с помощью температурной перестройки, избавляясь таким образом от смещения пучка и разъюстировки, неизбежных при угловой перестройке. Этот результат связывается с изменением двулучепреломления кристалла и его показателя преломления с повышением температуры.