Аннотация:
С использованием импульсного СO2-лазера получена эффективная ГВГ в монокристалле ZnGeP2. Исследовано влияние частоты повторения и нестабильности параметров излучения накачки на ГВГ и порог поверхностного разрушения, а также влияние пространственной неоднородности кристалла на
эффективность преобразования во вторую гармонику.
Поступила в редакцию: 15.09.1992 Исправленный вариант: 27.01.1993
Образец цитирования:
А. А. Барыкин, С. В. Давыдов, В. П. Дорохов, В. П. Захаров, В. В. Бутузов, “Генерация второй гармоники излучения импульсного СO2-лазера в кристалле ZnGeP2”, Квантовая электроника, 20:8 (1993), 794–800 [Quantum Electron., 23:8 (1993), 688–693]