О влиянии режимов фотостимулированной эпитаксии на структуру пленок

Исследовано воздействие электромагнитного излучения на процессы роста эпитаксиальных структур. В экспериментах по выращиванию пленок А⁴В⁶ использовались мощная ксеноновая лампа, импульсный и непрерывный УФ лазеры. Определены условия получения непланарных пленочных структур. Экспериментально исследованы свойства пленок, легированных индием, включая переходной слой между пленкой и подложкой, а также процессы отслоения пленок. Рассмотрена модель процессов на поверхности кристаллизации и показана необходимость учета при анализе фотостимулирванной эпитаксии кинетики дефектов.