|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 6, страницы 594–596
(Mi qe3115)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Управление параметрами лазерных импульсов
Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2– при импульсно-периодической накачке
Т. Т. Басиевa, А. Н. Кравецb, А. В. Фединb a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Ковровский технологический институт
Аннотация:
Исследован режим генерации излучения в виде отдельных цугов импульсов с энергией до 4 Дж и регулируемой
частотой их повторения в пределах 1 – 30 Гц. Цуги состоят из эквидистантных импульсов
длительностью 50 – 100 нс, следующих с частотой 500 – 900 кГц в зависимости от пропускания пассивного лазерного затвора (ПЛЗ) и энергии накачки. Энергетическая эффективность ПЛЗ составила 0,9
при КПД лазера 1,53% и глубине модуляции 100%. Параметр качества излучения M 2 = 3,3, длина когерентности – 14 см.
Поступила в редакцию: 27.11.1992
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, А. В. Федин, “Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2– при импульсно-периодической накачке”, Квантовая электроника, 20:6 (1993), 594–596 [Quantum Electron., 23:6 (1993), 513–515]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3115 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i6/p594
|
|