Частотная модуляция полупроводникового лазера током инжекции

Модуляция частоты излучения инжекционного лазера из GaAs, работавшего в непрерывном режиме, осуществлялась с помощью модуляции инжекционного тока. Описаны методика и результаты исследования частотной зависимости эффективности частотной модуляции (отношения амплитуды девиации частоты к амплитуде колебаний тока). При увеличении частоты модуляции от 5 до 200 кгц эффективность уменьшается в 30 раз. Экспериментальные данные согласуются с расчетом температурной зависимости частоты и теплового режима лазера.