Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 3, страницы 82–89 (Mi qe3075)  

Эта публикация цитируется в 42 научных статьях (всего в 42 статьях)

Влияние краевых эффектов на свойства неустойчивых резонаторов

Ю. А. Ананьев, В. Е. Шерстобитов
Аннотация: Обсуждается постановка дифракционной задачи применительно к расчету собственных колебаний в открытых резонаторах. Показано, что в случае неустойчивых резонаторов с большим эквивалентным числом Френеля стандартные приемы идеализации граничных условий приводят к неоправданному усложнению математической модели. Рассмотрены свойства систем со сглаженным краем зеркал.
Поступила в редакцию: 14.10.1970
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, Volume 1, Issue 3, Pages 263–267
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1971v001n03ABEH003075
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
PACS: 42.60.Da, 42.60.Mi, 42.79.Bh


Образец цитирования: Ю. А. Ананьев, В. Е. Шерстобитов, “Влияние краевых эффектов на свойства неустойчивых резонаторов”, Квантовая электроника, 3 (1971), 82–89 [Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 263–267]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3075
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i3/p82
  • Эта публикация цитируется в следующих 42 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024