Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 3, страницы 54–60 (Mi qe3071)  

Фотоионизация внутренних электронов в атомах как метод создания инверсии населенностей

В. Б. Розанов
Аннотация: Показано, что при фотоионизации электронов внутренних оболочек возникают ионы в метастабильных состояниях, поэтому накопление возбужденных частиц становится возможным при практически достижимых мощностях оптической накачки. Такой метод создания инверсной среды может оказаться эффективным, так как в спектре излучения оптически прозрачной плазмы заметную долю составляют достаточно «жесткие» фотоны, которые излучаются при захвате электрона и образовании атома или иона в основном состоянии.
Поступила в редакцию: 05.10.1970
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, Volume 1, Issue 3, Pages 242–247
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1971v001n03ABEH003071
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 32.80.Bx, 32.80.Fb, 52.50.Jm, 42.55.-f


Образец цитирования: В. Б. Розанов, “Фотоионизация внутренних электронов в атомах как метод создания инверсии населенностей”, Квантовая электроника, 3 (1971), 54–60 [Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 242–247]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3071
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i3/p54
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024