Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 5, страницы 471–476 (Mi qe3064)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Расходимость и интенсивность усиленного спонтанного излучения при его распределенном рефракционном выводе из активной среды

В. К. Ладагин, Ф. А. Стариков, В. Д. Урлин

Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Арзамас Нижегородской обл.
Аннотация: Аналитически и численно изучена динамика излучения в ближней и дальней зонах при распределенном рефракционном выводе нелинейно усиленного спонтанного рентгеновского излучения из плазменной активной среды (АС). Найдено, что расходимость усиленного шума Δθ экспоненциально уменьшается с ростом длины АС z; при z, равном 5 – 6 рефракционным длинам, Δθ на порядок меньше геометрической расходимости. Максимальная сила излучения qm приходится на рефракционный угол и экспоненциально растет с ростом z. Темп роста qm и уменьшения Δθ может снижаться вследствие дифракции. Показано, что в случае линейного усиления шума qm также отвечает рефракционному углу и может существенно превышать осевую силу излучения, но преимущество в силе излучения по сравнению с торцевым выводом в однородной АС достигается при значительном проигрыше в мощности.
Поступила в редакцию: 06.10.1992
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, Volume 23, Issue 5, Pages 406–411
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1993v023n05ABEH003064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 42.70.Hj, 42.65.Jx, 42.55.Vc, 42.60.Jf


Образец цитирования: В. К. Ладагин, Ф. А. Стариков, В. Д. Урлин, “Расходимость и интенсивность усиленного спонтанного излучения при его распределенном рефракционном выводе из активной среды”, Квантовая электроника, 20:5 (1993), 471–476 [Quantum Electron., 23:5 (1993), 406–411]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3064
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i5/p471
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:109
    PDF полного текста:91
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024