Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 2, страницы 96–99 (Mi qe3049)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Высококогерентный рубиновый ОКГ с медленным включением добротности

А. Л. Микаэлян, Ю. Г. Турков, Л. Н. Разумов, М. К. Сошников
Аннотация: Рассматриваются особенности селекции типов колебаний в оптическом квантовом генераторе с медленным включением добротности. Приводятся результаты экспериментального исследования рубинового ОКГ.
Поступила в редакцию: 21.08.1970
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, Volume 1, Issue 2, Pages 189–191
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1971v001n02ABEH003049
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.60.Jf, 42.60.Fc


Образец цитирования: А. Л. Микаэлян, Ю. Г. Турков, Л. Н. Разумов, М. К. Сошников, “Высококогерентный рубиновый ОКГ с медленным включением добротности”, Квантовая электроника, 2 (1971), 96–99 [Sov J Quantum Electron, 1:2 (1971), 189–191]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3049
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i2/p96
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:46
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024