Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1971, номер 2, страницы 80–86 (Mi qe3045)  

Термические напряжения в активных элементах в непрерывном режиме накачки

В. Г. Дмитриев, Б. М. Уманский, Н. В. Шкунов
Аннотация: Экспериментально, с помощью интерференционной методики определены перепад температуры и термоупругие напряжения, возникающие в активных кристаллических элементах в непрерывном режиме накачки. Показано, что закон радиального распределения коэффициентов преломления близок к квадратичному, что упрощает расчет компенсирующих элементов резонатора.
Поступила в редакцию: 23.07.1970
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1971, Volume 1, Issue 2, Pages 175–179
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1971v001n02ABEH003045
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
PACS: 42.70.Hj, 78.20.Ci, 62.20.Dc, 81.40.Jj


Образец цитирования: В. Г. Дмитриев, Б. М. Уманский, Н. В. Шкунов, “Термические напряжения в активных элементах в непрерывном режиме накачки”, Квантовая электроника, 2 (1971), 80–86 [Sov J Quantum Electron, 1:2 (1971), 175–179]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe3045
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i2/p80
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:126
    PDF полного текста:85
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024