|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 4, страницы 374–376
(Mi qe3000)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Активные среды
Электронный парамагнитный резонанс и магнитная восприимчивость кристаллов ИАГ:Nd3+
С. В. Антоновabc, Х. С. Багдасаровabc, И. Вархульскаabc, А. П. Додокинabc, В. Неквасилabc, М. В. Ремизовabc, А. А. Сорокинabc, Е. А. Федоровabc a Международная лаборатория сильных магнитных полей и
низких температур, Вроцлав, Польша
b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, Москва
c Институт физики твердого тела, Прага, Чехословакия
Аннотация:
Исследован ЭПР в 8-миллиметровом диапазоне и установлена верхняя граница для концентрации ионов
Nd3+ в октаэдрических позициях структуры кристаллов ИАГ:Nd3+, выращенных методом горизонтально направленной кристаллизации. Она не превышает 5 – 7% от общей концентрации неодима в додекаэдрических позициях решетки. Впервые экспериментально изучена температурная зависимость
магнитной восприимчивости кристаллов ИАГ:Nd3+, выращенных методом горизонтально направленной кристаллизации, в интервале температур 5 – 300 К. Обнаружено хорошее согласие эксперимента и теории, предполагающей, что все ионы неодима входят только в с-позиции решетки. Определена
концентрация ионов неодима в исследованных кристаллах и оценена величина диамагнитного вклада в
магнитную восприимчивость.
Поступила в редакцию: 18.08.1992
Образец цитирования:
С. В. Антонов, Х. С. Багдасаров, И. Вархульска, А. П. Додокин, В. Неквасил, М. В. Ремизов, А. А. Сорокин, Е. А. Федоров, “Электронный парамагнитный резонанс и магнитная восприимчивость кристаллов ИАГ:Nd3+”, Квантовая электроника, 20:4 (1993), 374–376 [Quantum Electron., 23:4 (1993), 320–322]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3000 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i4/p374
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 196 | PDF полного текста: | 93 |
|