Источник для фотонакачки рентгеновских лазеров на основе Х-пинча

Использование светосильного спектрографа со сферическим кристаллом слюды позволило зарегистрировать Н- и Не-подобные спектры Al и Si с высокими спектральным (λ/Δλ ~3000) и пространственным (~30 мкм) разрешениями как на стадии максимального сжатия, так и на стадии разлета Х-пинча. Рентгеноспектральными методами измерена электронная температура (вплоть до 950 эВ) и плотность (вплоть до 2·10²⁴ см^–3) в "горячей точке", а также параметры плазмы на стадии ее разлета. Энергетические оценки показали, что выход излучения К-линий может составлять до 1 Дж (мощность 1 ГВт). Общая энергия излучения в диапазоне длин волн 0,5 – 10 нм составила ~ 1 кДж. Это свидетельствует о том, что излучение "горячей точки" плазмы Х-пинча может быть эффективным источником для накачки активной среды рентгеновского лазера, а рекомбинирующая плазма, разлетающаяся из горячей области, может также сама являться активной средой коротковолновых лазеров.