|
Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 3, страницы 219–221
(Mi qe2971)
|
|
|
|
Лазеры
Инжекционные лазеры из варизонных GaInAsP/InP-гетероструктур
Н. Шохуджаев, И. Исмаилов, А. Файзуллаев Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН Республики Таджикистан, г. Душанбе
Аннотация:
Разработаны гетероструктуры на основе GalnAsP/lnP с варизонной гетерограницей. Металлографические,
микрорентгеноспектральные и электролюминесцентные исследования показали, что варизонный
слой расположен на границе активного слоя и верхнего эпитаксиального слоя lnP. Изменение ширины
запрещенной зоны по толщине слоя Δ Eg/Δ L = 0,08–0,01 эВ/мкм в разных структурах. Протяженность варизонного слоя менялась от 0,5 до 1,2 мкм в разных структурах, что меньше диффузионной длины неосновных носителей тока. Приведена зонная схема двух типов (p-InP – p-GaInAsP – n-InP и p-InP – n-GaInAsP – n-InP) разработанных структур и обсужден механизм прохождения неосновных носителей и влияния на них варизонного слоя. На основе гетероструктур изготовлены лазеры, работающие на длинах волн 1,08–1,095 мкм при комнатной температуре, и исследованы их излучательные характеристики. Показано, что по излучательным характеристикам они не уступают гетеролазерам (на тех же длинах волн), полученным на основе резких GalnAsP/lnP-гетероструктур.
Поступила в редакцию: 05.06.1992
Образец цитирования:
Н. Шохуджаев, И. Исмаилов, А. Файзуллаев, “Инжекционные лазеры из варизонных GaInAsP/InP-гетероструктур”, Квантовая электроника, 20:3 (1993), 219–221 [Quantum Electron., 23:3 (1993), 186–188]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2971 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i3/p219
|
|