Инжекционные лазеры из варизонных GaInAsP/InP-гетероструктур

Разработаны гетероструктуры на основе GalnAsP/lnP с варизонной гетерограницей. Металлографические, микрорентгеноспектральные и электролюминесцентные исследования показали, что варизонный слой расположен на границе активного слоя и верхнего эпитаксиального слоя lnP. Изменение ширины запрещенной зоны по толщине слоя Δ E_g/Δ L = 0,08–0,01 эВ/мкм в разных структурах. Протяженность варизонного слоя менялась от 0,5 до 1,2 мкм в разных структурах, что меньше диффузионной длины неосновных носителей тока. Приведена зонная схема двух типов (p-InP – p-GaInAsP – n-InP и p-InP – n-GaInAsP – n-InP) разработанных структур и обсужден механизм прохождения неосновных носителей и влияния на них варизонного слоя. На основе гетероструктур изготовлены лазеры, работающие на длинах волн 1,08–1,095 мкм при комнатной температуре, и исследованы их излучательные характеристики. Показано, что по излучательным характеристикам они не уступают гетеролазерам (на тех же длинах волн), полученным на основе резких GalnAsP/lnP-гетероструктур.