Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 1, страницы 45–46 (Mi qe2932)  
Лазеры

Изменение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм) при старении и облучении

Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев
PDF полного текста (121 kB)
Аннотация: Исследована деградация при облучении γ-квантами и старении непрерывных InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм). Определен параметр, являющийся информативным показателем эквивалентности кинетики этих процессов.
Поступила в редакцию: 16.07.1992
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, Volume 23, Issue 1, Pages 38–39
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1993v023n01ABEH002932
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 73.40.Kp


Образец цитирования: Р. И. Андреева, А. А. Кочетков, В. Н. Николаев, “Изменение порогового тока InGaAsP-гетеролазеров (λ = 1,55 мкм) при старении и облучении”, Квантовая электроника, 20:1 (1993), 45–46 [Quantum Electron., 23:1 (1993), 38–39]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2932
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i1/p45
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024