Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 1, страницы 31–38 (Mi qe2930)  

Лазеры

Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры

П. Г. Елисеев, Р. Ф. Набиев, А. И. Онищенко

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
Аннотация: Рассмотрен энергетический спектр и матричные элементы перехода в лазерной гетероструктуре с ультратонким активным слоем, имеющим модуляцию толщины хотя бы в одном направлении. Показано, что в зависимости от глубины пространственной модуляции распределение плотности состояний имеет пики и провалы и представлет собой переходный случай от спектра одномерной квантовой ямы к спектру набора параллельных квантовых нитей или двумерной сетке квантовых ячеек (при двумерной пространственной модуляции). Подбор параметров профилированной структуры может дать преимущества перед обычной квантово-размерной структурой: наличие пика в спектре фиксирует лазерную длину волны и увеличивает дифференциальное усиление в практически важном интервале тока накачки, а наличие провала плотности состояний ослабляет температурную зависимость порогового тока. Показано, что матричный элемент рабочих переходов в квантово-размерной структуре слабо зависит от квазиимпульса в периодическом поле, а запрещенные переходы достаточно ослаблены по отношению к рабочим переходам.
Поступила в редакцию: 16.07.1992
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1993, Volume 23, Issue 1, Pages 26–32
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1993v023n01ABEH002930
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.70.Hj, 42.60.Da, 42.60.Fc, 42.60.Jf


Образец цитирования: П. Г. Елисеев, Р. Ф. Набиев, А. И. Онищенко, “Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры”, Квантовая электроника, 20:1 (1993), 31–38 [Quantum Electron., 23:1 (1993), 26–32]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2930
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v20/i1/p31
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024